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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4134DY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4134DY-T1-GE3
器件3D模型
0.304
SI4134DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI4134DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
功耗
2.5W (Ta), 5W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
846pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)

SI4134DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4134DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.22 MByte

SI4134DYT1 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4134DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V
VISHAY(威世)
N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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