器件3D模型

￥ 0.064

SI4362DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4362DY-T1-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页

SI4362DY-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI4362DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

漏源极电阻

4.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.50 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

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SI4362DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4362DY-T1-E3 符合标准

SI4362DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.17 MByte

SI4362DY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.17 MByte

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