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SI4410DY
器件3D模型
0.6
SI4410DY 数据手册 (6 页)
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SI4410DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
10.0 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
13.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5W (Ta)
输入电容
1.35 nF
栅电荷
22.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
20.0 ns
输入电容值(Ciss)
1350pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

SI4410DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4410DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.4 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte

SI4410 数据手册

Microchip(微芯)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
VISHAY(威世)
SI4410BDY-T1-GE3 编带
International Rectifier(国际整流器)
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