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SI4410DYPBF
器件3D模型
0.787
SI4410DYPBF 数据手册 (8 页)
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SI4410DYPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
10.0 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.02 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
SI4410DY
输入电容
1585pF @15V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
7.70 ns
输入电容值(Ciss)
1585pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4410DYPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4410DYPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.09 MByte

SI4410 数据手册

Microchip(微芯)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
VISHAY(威世)
SI4410BDY-T1-GE3 编带
International Rectifier(国际整流器)
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