器件3D模型

￥ 2.122

SI4410DYTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4410DYTRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

SI4410DYTRPBF 数据手册 (8 页)

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SI4410DYTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.01 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1 V

输入电容

1585 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

7.7 ns

输入电容值(Ciss)

1585pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

44 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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SI4410DYTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4410DYTRPBF 符合标准

SI4410DYTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

SI4410DYTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SI4410DYTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

SI4410DYTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

SI4410DYTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SI4410DYTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

SI4410DYTRPBF 其他参考文件

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1 页 / 0.13 MByte

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