器件3D模型

￥ 0.203

SI4420BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4420BDY-T1-E3 数据手册 (4 页)

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SI4420BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

正向电压

750 mV

漏源极电阻

0.007 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.4 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

11 ns

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1400 mW

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SI4420BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4420BDY-T1-E3 符合标准

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.37 MByte

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9 页 / 0.24 MByte

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