器件3D模型

￥ 0.165

SI4420BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4420BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4420BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

正向电压

750 mV

漏源极电阻

0.0085 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.4 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

9.5A

上升时间

11 ns

额定功率(Max)

1.4 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

SI4420BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Design

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI4420BDY-T1-E3 符合标准

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.11 MByte

SI4420BDY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.24 MByte

SI4420BDYT1 数据手册

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

SI4420BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SI4420BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4420BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI4420BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI4420BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号