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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4420BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4420BDY-T1-GE3
器件3D模型
0.364
SI4420BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4420BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-Channel
功耗
1.4W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
13.5 A
耗散功率(Max)
1.4W (Ta)

SI4420BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4420BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.17 MByte

SI4420BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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