器件3D模型

￥ 0.799

SI4427BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4427BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SI4427BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI4427BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0088 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-12.6 A

上升时间

15 ns

下降时间

110 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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SI4427BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2500

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SI4427BDY-T1-GE3 符合标准

SI4427BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

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