器件3D模型

￥ 0.196

SI4442DY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4442DY-T1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

SI4442DY-T1 数据手册 (9 页)

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SI4442DY-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

22.0 A

封装

SOP

漏源极电阻

4.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.60 W

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

22.0 A

上升时间

11 ns

下降时间

47 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3500 mW

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SI4442DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4442DY-T1 符合标准

SI4442DY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

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