器件3D模型

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SI4463BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4463BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V

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3D模型

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焊盘图

引脚图

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SI4463BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI4463BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0085 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.7 A

上升时间

60 ns

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

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SI4463BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4463BDY-T1-E3 符合标准

SI4463BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.07 MByte

SI4463BDY-T1-E3 其他数据使用手册

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9 页 / 0.22 MByte

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