器件3D模型

￥ 0.916

SI4463BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4463BDY-T1-E3 数据手册 (8 页)

SI4463BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0085 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

13.7 A

上升时间

60 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

查看数据手册 >

SI4463BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4463BDY-T1-E3 符合标准

SI4463BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.16 MByte

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