器件3D模型

￥ 0.22

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 (53 页)

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SI4463BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

11 mΩ

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

9.8A

上升时间

60 ns

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

SI4463BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

SI4463BDY-T1-GE3 符合标准

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册

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