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SI4464DY-E3
器件3D模型
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SI4464DY-E3 数据手册 (6 页)
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SI4464DY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
240 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.50 W
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
1.70 A

SI4464DY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

SI4464DY-E3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.09 MByte

SI4464 数据手册

Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI4464-B1B-FM  芯片, 射频收发器, 119MHZ-1.05GHZ, QFN-20
VISHAY(威世)
SI4464DY-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
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