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SI4464DY-T1
器件3D模型
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SI4464DY-T1 数据手册 (10 页)
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SI4464DY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
1.7A
上升时间
12 ns
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW

SI4464DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4464DY-T1 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 0.17 MByte

SI4464 数据手册

Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI4464-B1B-FM  芯片, 射频收发器, 119MHZ-1.05GHZ, QFN-20
VISHAY(威世)
SI4464DY-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
Silicon Labs(芯科)
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
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