器件3D模型

￥ 0.348

SI4464DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4464DY-T1-E3 数据手册 (9 页)

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SI4464DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

0.195 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A, 2.20 A

上升时间

12 ns

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

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SI4464DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4464DY-T1-E3 符合标准

SI4464DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.15 MByte

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9 页 / 0.22 MByte

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