器件3D模型

￥ 0.275

SI4464DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

SI4464DY-T1-E3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4464DY-T1-E3 数据手册 (8 页)

SI4464DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

240 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A, 2.20 A

上升时间

12 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

15 ns

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SI4464DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4464DY-T1-E3 符合标准

SI4464DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.16 MByte

SI4464DY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

38 页 / 0.55 MByte

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