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SI4490DY
器件3D模型
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SI4490DY 数据手册
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SI4490DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
80.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.56 W
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.85 A

SI4490 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4490DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4490DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
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