器件3D模型

￥ 0.111

SI4501BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

互补（ N和P沟道）的MOSFET Complementary (N- and P-Channel) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4501BDY-T1-GE3 数据手册 (14 页)

封装尺寸在12 页

SI4501BDY-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SI4501BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0135 Ω

极性

N+P

功耗

4.5 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

12A

输入电容值(Ciss)

805pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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SI4501BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4501BDY-T1-GE3 符合标准

SI4501BDY-T1-GE3 概述

SI4501BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.25 MByte

SI4501BDY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

15 页 / 0.2 MByte

SI4501BDY-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

3 页 / 0.08 MByte

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