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SI4501DY
器件3D模型
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SI4501DY 数据手册 (8 页)
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SI4501DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO
漏源极电阻
18.0 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2.50 W
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
-9.00 A to 9.00 A

SI4501DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

SI4501DY 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.08 MByte

SI4501 数据手册

VISHAY(威世)
互补( N和P沟道)的MOSFET Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4501BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4501ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道, 30V, SOIC
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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