器件3D模型

￥ 4.677

SI4599DY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4599DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V

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3D模型

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焊盘图

引脚图

产品图

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SI4599DY-T1-GE3 数据手册 (15 页)

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SI4599DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0295 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

3 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

40 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3 W

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SI4599DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4599DY-T1-GE3 符合标准

SI4599DY-T1-GE3 海关信息

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

15 页 / 0.23 MByte

SI4599DY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

15 页 / 0.28 MByte

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