器件3D模型

￥ 0.65

SI4599DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N和P通道40 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4599DY-T1-GE3 数据手册 (15 页)

封装尺寸在12 页 13 页

SI4599DY-T1-GE3 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4599DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0295 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

5.6A

输入电容值(Ciss)

640pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

3W, 3.1W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3 W

查看数据手册 >

SI4599DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI4599DY-T1-GE3 符合标准

SI4599DY-T1-GE3 海关信息

SI4599DY-T1-GE3 概述

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

15 页 / 0.3 MByte

SI4599DY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

16 页 / 0.3 MByte

SI4599DYT1 数据手册

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N和P通道40 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4599DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号