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SI4810BDY-T1
器件3D模型
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SI4810BDY-T1 数据手册 (1 页)
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SI4810BDY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7.5A

SI4810BDY-T1 数据手册

VISHAY(威世)
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SI4810 数据手册

VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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