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SI4892DY-T1
器件3D模型
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SI4892DY-T1 数据手册 (8 页)
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SI4892DY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
8.8A

SI4892DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4892DY-T1 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.24 MByte

SI4892 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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