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SI4946BEY-E3
器件3D模型
0.44
SI4946BEY-E3 数据手册 (9 页)
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SI4946BEY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
额定功率
3.7 W
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
5.3A

SI4946BEY-E3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.18 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.25 MByte

SI4946 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道60 -V ( D- S) 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
VISHAY(威世)
双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4946BEY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
Vishay Siliconix
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