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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4946BEY-T1-E3 Datasheet 文档
SI4946BEY-T1-E3
器件3D模型
3.343
SI4946BEY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI4946BEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.052 Ω
功耗
3.7 W
阈值电压
2.4 V
输入电容
840pF @30V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
热阻
50℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
840pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
3.7 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4946BEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SI4946BEY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.19 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.18 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

SI4946BEYT1 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道60 -V ( D- S) 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
VISHAY(威世)
双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4946BEY-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Intertechnology
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