器件3D模型

￥ 0.041

SI4946BEY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4946BEY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页

SI4946BEY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI4946BEY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

额定功率

2.6 W

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

3.7 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

5.30 A

输入电容值(Ciss)

840pF @30V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.7 W

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SI4946BEY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-50℃ ~ 175℃

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SI4946BEY-T1-GE3 符合标准

SI4946BEY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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