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SI4946CDY-T1-GE3
器件3D模型
0.405
SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
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SI4946CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
350pF @30V(Vds)

SI4946CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.15 MByte

SI4946CDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
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