器件3D模型

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SI4947ADY-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4947ADY-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI4947ADY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

0.135 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.00 A

上升时间

9 ns

热阻

87℃/W (RθJA)

额定功率(Max)

1.2 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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SI4947ADY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4947ADY-T1-E3 符合标准

SI4947ADY-T1-E3 概述

SI4947ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

5 页 / 0.09 MByte

SI4947ADY-T1-E3 其他数据使用手册

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5 页 / 0.09 MByte

SI4947ADY-T1-E3 其他参考文件

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1 页 / 0.12 MByte

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