SI5351B-B-GM参数_时钟发生器芯片中文资料_Silicon Labs

SI5351B-B-GM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

200 MHz

引脚数

20 Pin

封装

QFN-20

输出接口数

8 Output

电路数

2 Circuit

针脚数

20 Position

占空比

50 %

最大占空比

55 %

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

1.71V ~ 3.6V

电源电压(Max)

3.6 V

电源电压(Min)

2.25 V

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SI5351B-B-GM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

4 mm

宽度

4 mm

高度

0.85 mm

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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SI5351B-B-GM 符合标准

SI5351B-B-GM 海关信息

SI5351B-B-GM 概述

SI5351B-B-GM 数据手册

Silicon Labs（芯科）

48 页 / 1.73 MByte

SI5351B-B-GM 用户编程技术手册

Silicon Labs（芯科）

41 页 / 1.59 MByte

SI5351B-B-GM 其他数据使用手册

Silicon Labs（芯科）

8 页 / 0.16 MByte

SI5351B-B-GM 产品设计图

Silicon Labs（芯科）

2 页 / 0.24 MByte

SI5351 数据手册

SI5351A-B-GTR 数据手册

Silicon Labs（芯科）

可编程时钟生成器, 200MHz, 2.25V至3.6V, 3路输出, MSOP-10

SI5351A-B-GT 数据手册

Silicon Labs（芯科）

Si535x 时钟生成器，Silicon LabsSilicon Labs Si535x 工厂和 I²C 可编程 LVCMOS 时钟生成器可自定义，用于生成多个、独立非整数相关频率。它们提供 8 PLL 等效频率合成，具有精确的频率合成（0 ppm 错误）、低抖动、低功耗，均采用小型封装。提供工厂自定义选项，用于最小化 EMI，包括可配置边缘速率、输出阻抗、输出偏斜和展频。特别适用于消费类音频/视频和嵌入式应用，从而将所有系统时钟要求整合到单一设备中。### 时钟发生器/缓冲器

SI5351A-B-GM 数据手册

Silicon Labs（芯科）

Si535x 时钟生成器，Silicon LabsSilicon Labs Si535x 工厂和 I²C 可编程 LVCMOS 时钟生成器可自定义，用于生成多个、独立非整数相关频率。它们提供 8 PLL 等效频率合成，具有精确的频率合成（0 ppm 错误）、低抖动、低功耗，均采用小型封装。提供工厂自定义选项，用于最小化 EMI，包括可配置边缘速率、输出阻抗、输出偏斜和展频。特别适用于消费类音频/视频和嵌入式应用，从而将所有系统时钟要求整合到单一设备中。### 时钟发生器/缓冲器

SI5351C-B-GM 数据手册

Silicon Labs（芯科）

Si535x 时钟生成器，Silicon LabsSilicon Labs Si535x 工厂和 I²C 可编程 LVCMOS 时钟生成器可自定义，用于生成多个、独立非整数相关频率。它们提供 8 PLL 等效频率合成，具有精确的频率合成（0 ppm 错误）、低抖动、低功耗，均采用小型封装。提供工厂自定义选项，用于最小化 EMI，包括可配置边缘速率、输出阻抗、输出偏斜和展频。特别适用于消费类音频/视频和嵌入式应用，从而将所有系统时钟要求整合到单一设备中。### 时钟发生器/缓冲器

SI5351B-B-GM 数据手册

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Si535x 时钟生成器，Silicon LabsSilicon Labs Si535x 工厂和 I²C 可编程 LVCMOS 时钟生成器可自定义，用于生成多个、独立非整数相关频率。它们提供 8 PLL 等效频率合成，具有精确的频率合成（0 ppm 错误）、低抖动、低功耗，均采用小型封装。提供工厂自定义选项，用于最小化 EMI，包括可配置边缘速率、输出阻抗、输出偏斜和展频。特别适用于消费类音频/视频和嵌入式应用，从而将所有系统时钟要求整合到单一设备中。### 时钟发生器/缓冲器

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时钟发生器/频率合成器/PLL SI5351B-B-GMR QFN-20-EP(4x4)

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SILICON LABS SI5351A-B04486-GT 芯片, 时钟发生器, 压控晶体振荡器, 200MHZ, MSOP-10 新

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