￥ 0.589

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

VISHAY SI5435BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 5.9A, 1206

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI5435BDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-5.90 A

工作温度(Max)

150 ℃

查看数据手册 >

SI5435BDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.2 mm

宽度

1.6 mm

查看数据手册 >

SI5435BDC-T1-GE3 符合标准

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.08 MByte

SI5435BDC-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.08 MByte

SI5435BDCT1 数据手册

SI5435BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI5435BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 5.9A, 1206

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SI5435BDC-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI5435BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI5435BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号