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SI5441DC-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

Chip

描述:

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5441DC-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI5441DC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

Chip

漏源极电阻

55.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.30 W

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.90 A

上升时间

35 ns

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

SI5441DC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI5441DC-T1-E3 符合标准

SI5441DC-T1-E3 数据手册

SI5441DC-T1-E3 其他数据使用手册

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