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SI5853DDC-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

P通道20 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI5853DDC-T1-E3 数据手册 (12 页)

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SI5853DDC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

漏源极电阻

85 mΩ

极性

P-CH

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.9A

输入电容值(Ciss)

320pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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SI5853DDC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI5853DDC-T1-E3 符合标准

SI5853DDC-T1-E3 概述

SI5853DDC-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.18 MByte

SI5853DDC-T1-E3 其他数据使用手册

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12 页 / 0.18 MByte

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