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SI7121DN-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPak-1212-8

描述:

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7121DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7121DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7121DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPak-1212-8

漏源极电阻

18 mΩ

极性

P-CH

功耗

3.7 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

10.6A

输入电容值(Ciss)

1960pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

52 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

27.8 W

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SI7121DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.15 mm

宽度

3.15 mm

高度

1.07 mm

工作温度

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI7121DN-T1-GE3 符合标准

SI7121DN-T1-GE3 概述

SI7121DN-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.62 MByte

SI7121DN-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.49 MByte

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