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SI7617DN-T1-GE3
0.247
SI7617DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)
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SI7617DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerPak-1212-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0103 Ω
极性
P-Channel
功耗
3.7 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
-35.0 A
输入电容值(Ciss)
1800pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
52 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3700 mW

SI7617DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SI7617DN-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
13 页 / 0.59 MByte
VISHAY(威世)
14 页 / 0.54 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
5 页 / 0.05 MByte

SI7617DNT1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7617DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, 35A, 整卷
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