￥ 1.065

SI7850DP-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7850DP-T1-E3 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI7850DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

漏源极电阻

0.031 Ω

功耗

1.8 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

查看数据手册 >

SI7850DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

5.99 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI7850DP-T1-E3 符合标准

SI7850DP-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

2 页 / 0.04 MByte

SI7850DP-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

11 页 / 0.3 MByte

SI7850DP-T1-E3 其他参考文件

Vishay Siliconix

1 页 / 0.12 MByte

SI7850DPT1 数据手册

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI7850DP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道60 -V （D -S ）快速开关MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

SI7850DP-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI7850DP-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI7850DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V

SI7850DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI7850DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷

SI7850DPT1E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号