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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SI9435BDY-T1 Datasheet 文档
SI9435BDY-T1
器件3D模型
0.157
SI9435BDY-T1 数据手册 (9 页)
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SI9435BDY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.1A

SI9435BDY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI9435BDY-T1 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.23 MByte

SI9435 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
-30V,-4.1A,P沟道MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 V
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