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SI9435BDY-T1-E3
器件3D模型
0.235
SI9435BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI9435BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
42 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
-5.70 A
额定功率(Max)
1.3 W

SI9435BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2500

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.09 MByte
VISHAY(威世)
14 页 / 0.17 MByte

SI9435BDYT1 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
-30V,-4.1A,P沟道MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
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