器件3D模型

￥ 0.235

SI9435BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

-30V,-4.1A,P沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9435BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI9435BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

42 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-5.70 A

额定功率(Max)

1.3 W

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SI9435BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI9435BDY-T1-E3 符合标准

SI9435BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

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