器件3D模型

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SI9945AEY-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

N沟道MOS管

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI9945AEY-T1 数据手册 (5 页)

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SI9945AEY-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

80.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.40 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.70 A to 3.70 A

上升时间

10.0 ns

SI9945AEY-T1 符合标准

SI9945AEY-T1 数据手册

SI9945AEY-T1 其他数据使用手册

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