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SIA517DJ-T1-GE3
0.335
SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)
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SIA517DJ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
1.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
4.5A
输入电容值(Ciss)
500pF @6V(Vds)
额定功率(Max)
6.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
6.5 W

SIA517DJ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.15 mm
宽度
2.15 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
14 页 / 0.31 MByte
VISHAY(威世)
14 页 / 0.31 MByte

SIA517DJT1 数据手册

VISHAY(威世)
N和P通道12 -V (D -S )的MOSFET N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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