￥ 0.335

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

N和P通道12 -V （D -S ）的MOSFET N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)

封装尺寸在12 页

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SIA517DJ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.9 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

输入电容值(Ciss)

500pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

6.5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

6.5 W

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SIA517DJ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.15 mm

宽度

2.15 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SIA517DJ-T1-GE3 符合标准

SIA517DJ-T1-GE3 概述

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.31 MByte

SIA517DJ-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.31 MByte

SIA517DJT1 数据手册

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册

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N和P通道12 -V （D -S ）的MOSFET N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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