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SIS412DN-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

1212-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SIS412DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

1212-8

功耗

3.2W (Ta), 15.6W (Tc)

输入电容值(Ciss)

435pF @15V(Vds)

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 15.6W (Tc)

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SIS412DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SIS412DN-T1-GE3 符合标准

SIS412DN-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

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