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SM6T200A
0.121
SM6T200A 数据手册 (10 页)
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SM6T200A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
工作电压
200 V
封装
DO-214AA
额定功率
1.5 kW
击穿电压
200 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
600 W
钳位电压
353 V
最大反向电压(Vrrm)
171V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
210 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
190 V
击穿电压
190 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃

SM6T200A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.6 mm
宽度
3.95 mm
高度
2.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SM6T200A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.11 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

SM6T200 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T200A  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 171 V, 353 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T200CA  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 双向, 171 V, 353 V, DO-214AA, 2 引脚
VISHAY(威世)
特点•峰值脉冲功率:600 W(10/1000μS)•击穿电压范围:6.8V至220 V•单向和双向类型•低钳位因子•快速的响应时间•UL认证
Vishay Semiconductor(威世)
SM6T200A-E3/52 瞬态抑制二极管TVS/ESD 171V 2.2A 5W DO-214AA/SMB-200V 标记PR75AA
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 200V 5% Bi
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,UNIDIR,SMB TVS
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,UNIDIR,SMB TVS
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,200V 5%,BIDIR,SMB TVS
Vishay Semiconductor(威世)
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