￥ 2.213

SM8S33AHE3/2D 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

TVS二极管

封装:

DO-218AB

描述:

PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W，SM8A 和 SM8S 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SM8S33AHE3/2D 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

典型应用电路图在1 页

SM8S33AHE3/2D 数据手册 (5 页)

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SM8S33AHE3/2D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

DO-218AB

电路数

1 Circuit

针脚数

2 Position

功耗

8 W

钳位电压

53.3 V

测试电流

5 mA

最大反向击穿电压

40.6 V

脉冲峰值功率

6600 W

最小反向击穿电压

36.7 V

击穿电压

36.7 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SM8S33AHE3/2D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

13.7 mm

宽度

8.7 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SM8S33AHE3/2D 符合标准

SM8S33AHE3/2D 概述

SM8S33AHE3/2D 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.08 MByte

SM8S33AHE3/2D 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.09 MByte

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