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SMMBT5551LT1G
0.033
SMMBT5551LT1G 数据手册 (6 页)
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SMMBT5551LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数
250
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

SMMBT5551LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SMMBT5551LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.2 MByte

SMMBT5551LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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