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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > SMUN5214T1G Datasheet 文档
SMUN5214T1G
器件3D模型
0.023
SMUN5214T1G 数据手册 (12 页)
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SMUN5214T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.31 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
202 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 mW

SMUN5214T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SMUN5214T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.38 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte

SMUN5214T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k
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