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SN7002NH6327XTSA2
0.035
SN7002NH6327XTSA2 数据手册 (9 页)
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SN7002NH6327XTSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.36 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
0.36 W
阈值电压
1.4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.2A
上升时间
3.2 ns
输入电容值(Ciss)
45pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
360 mW
下降时间
3.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360mW (Ta)

SN7002NH6327XTSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SN7002NH6327XTSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

SN7002NH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
60V,5Ω,0.2A N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SN7002N H6327.  晶体管, MOSFET, BRT, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon(英飞凌)
SN7002N 系列 60 V 5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号-晶体管 - PG-SOT-23
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
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