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Datasheet 搜索 > 逻辑控制器 > TI(德州仪器) > SN74CBT3306CDR Datasheet 文档
SN74CBT3306CDR
器件3D模型
0.21
SN74CBT3306CDR 数据手册 (16 页)
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SN74CBT3306CDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V ~ 5.50V
封装
SOIC-8
输出电流
64.0 mA
触点类型
SPST
位数
2 Bit
传送延迟时间
150 ps
电压波节
5.00 V
带宽
200 MHz
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4 V

SN74CBT3306CDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

SN74CBT3306CDR 数据手册

TI(德州仪器)
16 页 / 1.02 MByte
TI(德州仪器)
15 页 / 0.32 MByte

SN74CBT3306 数据手册

TI(德州仪器)
双路 FET 总线开关
TI(德州仪器)
具有 –2V 下冲保护的 5V、1:1 (SPST)、2 通道 FET 总线开关(低电平有效) 8-TSSOP -40 to 85
TI(德州仪器)
双FET总线开关 DUAL FET BUS SWITCH
TI(德州仪器)
双FET总线开关 DUAL FET BUS SWITCH
TI(德州仪器)
双FET总线开关 DUAL FET BUS SWITCH
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74CBT3306CPW  逻辑芯片, 双路FET总线开关, 8TSSOP
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74CBT3306D  逻辑芯片, 总线开关, FET, 双路, 8SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74CBT3306CD  逻辑芯片, 总线开关, FET, 双路, 8SOIC
TI(德州仪器)
具有 –2V 下冲保护的 5V、1:1 (SPST)、2 通道 FET 总线开关(低电平有效) 8-SOIC -40 to 85
TI(德州仪器)
双FET总线开关 DUAL FET BUS SWITCH
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