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SN75372PE4
器件3D模型
1.233
SN75372PE4 数据手册 (19 页)
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SN75372PE4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
4.75V (min)
封装
PDIP-8
输出接口数
2 Output
功耗
1 W
上升时间
30 ns
驱动器/包
2
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
30 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压(Max)
24 V
电源电压(Min)
4.75 V

SN75372PE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.81 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)

SN75372PE4 数据手册

TI(德州仪器)
19 页 / 0.71 MByte
TI(德州仪器)
22 页 / 0.73 MByte

SN75372 数据手册

TI(德州仪器)
双路 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
双路 MOSFET 驱动器 8-SOIC 0 to 70
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN75372P  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, DIP-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
双路 MOSFET 驱动器 8-SO 0 to 70
TI(德州仪器)
双路 MOSFET 驱动器 8-SO 0 to 70
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
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