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SN75469NG4
0.384
SN75469NG4 数据手册 (24 页)
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SN75469NG4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DIP-16
击穿电压(集电极-发射极)
100 V

SN75469NG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
150℃ (TJ)

SN75469NG4 数据手册

TI(德州仪器)
24 页 / 1.31 MByte

SN75469 数据手册

TI(德州仪器)
高电压大电流达林顿晶体管阵列
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN75469N  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 100 V, 500 mA, DIP
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN75469D  芯片
TI(德州仪器)
达林顿晶体管 Hi Vltg Darlington Transistor Arrays
TI(德州仪器)
Darlington Transistor Arrays, Texas InstrumentsThis array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.### 达林顿晶体管驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN75469DE4  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 100 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
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