器件3D模型

￥ 0.867

SP8K24FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SP8K24FU6TB 数据手册 (5 页)

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SP8K24FU6TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2.00 W

漏源极电压(Vds)

45 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

27 ns

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SP8K24FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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SP8K24FU6TB 符合标准

SP8K24FU6TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.13 MByte

SP8K24FU6TB 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.14 MByte

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